О токовой зависимости эффективности инжекции и относительном вкладе скорости эмиссии и внутренних оптических потерь в насыщение ватт-амперной характеристики мощных импульсных лазеров ($\lambda$ = 1.06 мкм)

Приведены результаты численного моделирования токовой зависимости эффективности инжекции в активную область лазера на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения. Показана особенность переноса носителей заряда через изотипные $N$–$n$-гетеропереходы на границе волноводных и активной областей. С использованием классических зависимостей теории Друде–Лоренца проведена оценка сечений рассеяния электронов $(\sigma_{e})$ и дырок $(\sigma_{p})$ для GaAs-волновода. Полученные значения $\sigma_{e}$ = 1.05 $\cdot$ 10$^{-18}$ см$^{2}$, $\sigma_{p}$ = 1.55 $\cdot$ 10$^{-19}$ см$^{2}$ и токовые зависимости эффективности инжекции позволили определить ключевую причину ограничения импульсной мощности полупроводниковых лазеров. Установлено, что внутренние оптические потери составляют незначительную долю потерь, а определяющий вклад в насыщение ватт-амперной характеристики дает эмиссия дырок в волновод.