Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования

Проведены исследования пространственно-временной динамики оптических потерь и концентрации носителей заряда в гетероструктуре полупроводникового лазера с сегментированным контактом с использованием методики накачки–зондирования (pump–probe), основанной на вводе зондирующего излучения с длиной волны 1560 нм в исследуемый кристалл полупроводникового лазера на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs, излучающего на длине волны 1010 нм. Показано, что использование зондирующего излучения на длине волны 1560 нм позволяет обеспечить чувствительность измерения внутренних оптических потерь не хуже 1 см$^{-1}$. Использование сегментированной конструкции области токовой накачки позволило оценить абсолютную величину внутренних оптических потерь. Показано, что изменение конфигурации собственных мод лазера Фабри–Перо влияет на распределение носителей заряда и внутренних оптических потерь как в области токовой накачки, так и в пассивной, не прокачиваемой током, части лазерного кристалла.