RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 771–777 (Mi phts5194)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий

Е. В. Окуличa, В. И. Окуличb, Д. И. Тетельбаумa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Нижегородский институт управления – филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при Президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: На основе ранее предложенной диффузионно-коагуляционной модели дефектообразования при ионном облучении кремния путем численного решения соответствующих кинетических уравнений рассчитаны дозы аморфизации $(\Phi_{\mathrm{am}}$) для ионов средних энергий с массой $M_{1}\le$ 31 а.е.м. Предполагается, что аморфизация на данной глубине происходит при дозе, при которой достигается некоторая пороговая величина суммарной концентрации вакансий и дивакансий $(C_{\mathrm{am}})$. Варьируемыми параметрами при расчетах являлись: энергия ионов, плотность ионного тока, температура, а также пороговая энергия смещения атома $(E_{d})$ и $C_{\mathrm{am}}$. Определены границы примененимости диффузионно-коагуляционной модели. Сравнение полученных результатов расчетов, проведенных в этих границах, с опубликованными экспериментальными данными показало (с учетом вариации экспериментальных данных и определенной свободы выбора параметров $E_{d}$ и $C_{\mathrm{am}}$) удовлетворительное соответствие расчетных и экспериментальных значений $\Phi_{\mathrm{am}}$.

Ключевые слова: кремний, облучение легкими ионами, диффузионно-коагуляционная модель дефектообразования, расчет доз аморфизации.

Поступила в редакцию: 19.12.2019
Исправленный вариант: 14.01.2020
Принята в печать: 14.01.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49649.9338


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:8, 916–922

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024