Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах

Проведено моделирование фононных мод квантово-каскадных гетероструктур на основе двойных и тройных полупроводниковых соединений. Рассчитаны зависимости частот интерфейсных фононных мод структуры от волнового вектора в плоскости слоев и от набега фазы на периоде сверхрешетки. Найдено, что диапазон вариации энергий квантов фононных мод GaAs/Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As-структуры не превышает 2 мэВ. Рассчитанная результирующая скорость межподзонного рассеяния в структуре с учетом интерфейсных и ограниченных мод практически не отличается от расчетов в приближении объемных фононов структуры.