RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 791–795 (Mi phts5197)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи

А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийab, В. А. Козловc

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Филиал Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: На основе алгоритма Монте-Карло разработан метод расчета энергетического спектра горячих неравновесных электронов и дырок в треке первичного атома отдачи при воздействии одиночных быстрых нейтронов. Проведены расчеты разогрева и последующей релаксации неравновесных носителей заряда в кремнии в треке заряженной частицы с начальными энергиями в диапазоне 50–200 кэВ. Получены характерные температуры электронной и дырочной плазмы, которые составили 5400 и 2700 K соответственно. Обсуждается влияние радиационно-индуцированного разогрева носителей заряда на сбоеустойчивость элементов статической памяти.

Ключевые слова: первичный атом отдачи, обратимый одиночный сбой, горячие носители.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49627.03


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:8, 946–950

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024