А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8,страницы 796

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом

А. Н. Акимов^a, И. О. Ахундов^a, Д. В. Ищенко^a, А. Э. Климов^ab, И. Г. Неизвестный^ab, Н. С. Пащин^a, С. П. Супрун^a, А. С. Тарасов^a, О. Е. Терещенко^ac, Е. В. Федосенко^a, В. Н. Шерстякова^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный технический университет
^c Новосибирский государственный университет

Аннотация: В режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, в пленках PbSnTe : In обнаружена зависимость знака фотопроводимости от напряжения смещения, интенсивности и времени освещения. Рассматривается роль ловушек со сложным энергетическим спектром, включая поверхностные, в наблюдаемых эффектах.

Ключевые слова: фотопроводимость, примесные состояния, поверхностные состояния, PbSnTe.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49628.04