Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

Разработан новый метод осаждения углеродных пленок термическим разложением четыреххлористого углерода (CCl$_{4}$) в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. Результаты исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света позволяют предположить, что полученные этим методом углеродные слои представляют собой разупорядоченный нанокристаллический графит. Показана возможность использования такого углеродного слоя в технологическом цикле создания арсенид-галлиевых приборных структур оптоэлектроники (в частности, спиновых светоизлучающих диодов с инжектором CoPt).