В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8,страницы 807

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически рассмотрена динамика образования и распада когерентных состояний мелких примесных центров в кристалле германия, резонансно-возбуждаемых парой лазерных импульсов, следующих друг за другом с некоторой задержкой. Сделаны оценки необходимой мощности излучения, температуры кристаллической решетки кристалла и предельно допустимых неоднородных ширин примесных линий для наблюдения интерференции Рамсея в такой системе.

Ключевые слова: германий, мелкие доноры, лазерное возбуждение, когерентные состояния, интерференция Рамсея.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49630.06