RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 812–815 (Mi phts5201)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Комбинационное рассеяние света квазиоднофотонных импульсов в оптоволокне с накачкой

В. Г. Поповab, В. Г. Криштопab, C. А. Тарелкинc, И. И. Корельd

a Центр научных исследований и перспективных разработок, ОАО «ИнфоТеКС», г. Москва
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
c Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, г. Москва
d Новосибирский государственный технический университет

Аннотация: Теоретически рассмотрены процессы комбинационного рассеяния света квазиоднофотонных импульсов в одномодовом оптическом волокне с накачкой. Особенность рассеяния в том, что накачка создает неравновесные молекулярные колебания в оптоволокне, что существенно увеличивает вероятность комбинационного рассеяния света. Неравновесные колебания ожидаются в ситуации, когда для импульса накачки реализуется режим стимулированного комбинационного рассеяния света. В результате получены оценки длины оптоволоконной линии с повышенной вероятностью комбинационного рассеяния света.

Ключевые слова: комбинационное рассеяние, оптоволокно, фононы.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49631.07


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:8, 966–968

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024