Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8,страницы 816

Эта публикация цитируется в 1 статье

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi

Р. Х. Жукавин^a, К. А. Ковалевский^a, С. Г. Павлов^b, N. Deßmann^c, A. Pohl^d, В. В. Цыпленков^a, Н. В. Абросимов^e, H. Riemann^e, H.-W. Hübers^bd, В. Н. Шастин^a

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center, Berlin, Germany
^c Radboud University Nijmegen, FELIX Laboratory, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands
^d Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany
^e Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), 12489 Berlin, Germany

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований перестройки спектра терагерцового стимулированного излучения с помощью одноосной деформации кристалла кремния, легированного мелкими донорами висмута в случае внутрицентрового оптического возбуждения. Экспериментально показана частотная перестройка двух линий излучения донора висмута в случае одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [001]. Вычислены сечения усиления вынужденного комбинационного рассеяния света для одноосно-деформированного кремния, легированного висмутом.

Ключевые слова: кремний, одноосная деформация, инверсия, терагерцовое стимулированное излучение, вынужденное комбинационное рассеяние.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49632.09