RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 7, страницы 587–630 (Mi phts5204)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Обзоры

Модификация атомной и электронной структуры поверхности полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ на границе с растворами электролитов. Обзор

М. В. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обобщены экспериментальные и теоретические результаты последних лет по модификации атомной и электронной структуры поверхности различных полупроводников А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$ растворами электролитов. Выявлена взаимосвязь между химическими реакциями, протекающими на границах полупроводник/электролит, процессами переноса заряда между полупроводником и раствором, а также сопутствующими изменениями атомной и электронной структуры поверхности полупроводника. Показаны примеры модификации электронных характеристик и свойств полупроводниковых приборов и наноструктур при взаимодействии с растворами электролитов.

Ключевые слова: полупроводниковые соединения А$^{\mathbf{III}}$В$^{\mathbf{V}}$, поверхность, модификация поверхности, пассивация, электронная структура, граница полупроводник/электролит.

Поступила в редакцию: 05.03.2020
Исправленный вариант: 09.03.2020
Принята в печать: 09.03.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49502.9390


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:7, 699–741

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024