Первопринципное изучение реконструкций поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb

Методом проекционных присоединенных волн проведено изучение атомной и электронной структуры реконструкций с симметрией (2 $\times$ 4), (4 $\times$ 2), $c$(4 $\times$ 4) и (4 $\times$ 3) на поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb. Показано, что в пределе обогащения катионами на поверхности GaSb(001) стабильной является реконструкция $\beta$2(2 $\times$ 4), тогда как $\alpha$2(2 $\times$ 4) имеет наименьшую энергию в случае InSb. В пределе обогащения Sb стабильной найдена реконструкция $c$(4 $\times$ 4) с тремя димерами сурьмы. Вблизи стехиометрического состава на поверхности GaSb(001) стабильными являются структуры $\alpha$(4 $\times$ 3) и $\beta$(4 $\times$ 3), что согласуется с экспериментальными данными. Обсуждается электронная структура реконструкций (4 $\times$ 3) с наименьшей поверхностной энергией. Выявлено слабое влияние химического состава катионов на структуру и локализацию поверхностных состояний при формировании структур (4 $\times$ 3). Установлена корреляция между поверхностной энергией некоторых реконструкций (4 $\times$ 2) и (2 $\times$ 4) и разницей атомных радиусов катионов и анионов.