RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 7, страницы 643–647 (Mi phts5206)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия

Г. К. Кривякинab, В. А. Володинab, Г. Н. Камаевa, А. А. Поповc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Ярославский филиал Физико-технологического института РАН

Аннотация: Исследованы процессы кристаллизации пленок аморфного германия различной толщины и многослойных наноструктур германий/кремний, выращенных на стеклянных подложках методом плазмохимического осаждения, при изотермических отжигах 440$^\circ$C. Фазовый состав пленок определялся из анализа спектров комбинационного рассеяния света. Установлено, что пленка германия толщиной 200 нм практически полностью кристаллизуется уже после двухчасового отжига, при этом в пленке германия толщиной 6 нм только возникают кристаллические зародыши с объемной долей $<$ 1%. Четырехчасовой отжиг тонкой пленки приводит к заметному росту их размеров и доля кристалличности увеличивается до 40%. Отжиги наноразмерных слоев $\alpha$-Ge (6 нм), внедренных в матрицу $\alpha$-Si в тех же условиях продолжительностью 2 и 4 ч, не приводят даже к частичной кристаллизации, слои остаются аморфными. Обсуждается влияние гетерограниц на кристаллизацию слоев германия.

Ключевые слова: германий, гетерограницы, кинетика кристаллизации.

Поступила в редакцию: 20.02.2020
Исправленный вариант: 28.02.2020
Принята в печать: 28.02.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49504.9376


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:7, 754–758

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024