Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 7,страницы 648

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры

Л. С. Лунин^a, М. Л. Лунина^a, Д. Л. Алфимова^a, А. С. Пащенко^a, О. С. Пащенко^a, Н. М. Богатов^b

^a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
^b Кубанский государственный университет, г. Краснодар

Аннотация: Обсуждается выращивание твердых растворов AlGaInSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. Проведен расчет параметров и исследованы люминесцентные свойства и спектральные характеристики твердых растворов AlGaInSbAs, изопериодных подложкам InAs. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Al–Ga–In–Sb–As. Выявлены области термодинамической устойчивости к спинодальному распаду твердых растворов AlGaInSbAs и интервалы изопериодичности к подложке InAs.

Ключевые слова: твердые растворы AlGaInSbAs, термодинамические и кристаллохимические параметры, фазовые равновесия, ширина запрещенной зоны, спектральная характеристика, спектр фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 03.03.2020
Исправленный вариант: 10.03.2020
Принята в печать: 10.03.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49505.9388