RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 547–551 (Mi phts5219)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP

В. А. Шутаевa, Е. А. Гребенщиковаa, В. Г. Сидоровb, М. Е. Компанa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "АИБИ", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследован импеданс и емкостные свойства структур Pd/оксид/InP при 300 K в диапазоне частот 10$^{-1}$–10$^{5}$ Гц на воздухе и в азотно-водородной газовой среде. Характеристики структур в обеих средах интерпретируются на основе модели параллельной RC-цепочки с последовательным сопротивлением. В присутствии водорода сопротивление структур уменьшается на 3 порядка, а емкость взрастает на 1–3 порядка в зависимости от частоты, что, возможно, связано с образованием положительно заряженных центров в оксиде. На вольт-фарадных характеристиках структур в среде с водородом обнаружен гистерезис, возможно, обусловленный ионной поляризацией центров. Показано, что полный заряд центров, измеренный в единицах электронов, практически совпадает с числом атомов водорода, поглощенных палладием.

Ключевые слова: палладий, водород, фосфид индия, импеданс, МОП структура.

Поступила в редакцию: 29.01.2020
Исправленный вариант: 05.02.2020
Принята в печать: 05.02.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49383.9359


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:6, 658–661

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024