RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 570–574 (Mi phts5223)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Предельная температура генерации микродисковых лазеров

А. Е. Жуковa, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевb, М. М. Кулагинаc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, А. М. Надточийb, М. В. Максимовb

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, чем меньше диаметр микролазера. Показано хорошее совпадение предсказаний модели с имеющимися экспериментальными данными.

Ключевые слова: микрорезонатор, микролазер, саморазогрев, тепловое сопротивление.

Поступила в редакцию: 23.01.2020
Исправленный вариант: 31.01.2020
Принята в печать: 31.01.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49387.9354


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:6, 677–681

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024