Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$

Исследованы структуры резистивного типа на основе пленок оксида галлия. Пленки Ga$_{2}$O$_{3}$ получали ВЧ-магнетронным распылением мишени $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (99.9999%) на не нагретые сапфировые подложки с предварительно нанесенными платиновыми электродами. Получены данные о структуре и фазовом составе пленок сразу после напыления и после отжига в аргоне при 900$^\circ$C в течение 30 мин. Измерены темновые и вольт-амперные характеристики при воздействии излучения с $\lambda$ = 254 нм. Показано, что после отжига фототок увеличивается на порядок. Экспериментально подтверждено отсутствие чувствительности исследованных структур к излучению в видимом интервале длин волн ($\lambda$ = 400 нм).