RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 580–584 (Mi phts5225)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов

А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С применением имплантации ионов кислорода с энергией 350 кэВ и дозой 3.7 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ и последующего отжига в хлорсодержащей атмосфере при 700$^\circ$С в течение 1 ч изготовлены кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов. Электролюминесценция исследована в широких диапазонах температуры и мощности накачки. Во всех спектрах доминирует линия (113) дефектов. Температурная зависимость интенсивности линии зависит от мощности накачки в области низких температур: при низких плотностях тока наблюдается возгорание интенсивности с энергией 25 мэВ, а с ростом тока увеличения интенсивности не наблюдается. При более высоких температурах происходит гашение интенсивности с энергией 59 мэВ независимо от плотности тока. С ростом температуры положение максимума линии (113) дефекта смещается на такую же энергию, как ширина запрещенной зоны, а полуширина линии растет линейно.

Ключевые слова: (113) дефекты, кремний, светодиоды, электролюминесценция.

Поступила в редакцию: 10.02.2020
Исправленный вариант: 17.02.2020
Принята в печать: 17.02.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49389.9369


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:6, 687–690

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024