Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

Представлена сосредоточенная модель динамики управляемой конкуренции высокодобротных замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера (до 1 $\times$ 1 мм и более) на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Модель рассматривает модуляцию полезной мощности замкнутой модовой структуры за счет управляемого переключения генерации на альтернативную замкнутую моду. Управление переключением генерации между замкнутыми модовыми структурами реализуется за счет изменения оптических потерь одной из структур. Изменение оптических потерь происходит за счет возрастания межзонного оптического поглощения вследствие квантоворазмерного эффекта Штарка при приложении напряжения к сегменту лазерного кристалла в области распространения замкнутой моды.