RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 504–509 (Mi phts5236)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния

В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов

Омский научный центр СО РАН

Аннотация: Получены многослойные интегрированные пористые мембраны в монолитном обрамлении, содержащие пористый кремний двух типов: макропористый с диаметрами пор до 10 мкм, канальный с диаметрами каналов от 100 до 300 нм. Предложена лабораторная технология получения двухслойных структур макропористый/канальный кремний с использованием подложек высокоомного $n$-Si (1 Ом $\cdot$ см). Обсуждается механизм порообразования и его влияние на морфологию пористых слоев для электролитов с использованием муравьиной кислоты и гидроксида аммония.

Ключевые слова: пористый кремний, электрохимическое травление, электронная микроскопия, многослойные структуры, мембраны.

Поступила в редакцию: 24.12.2019
Исправленный вариант: 28.12.2019
Принята в печать: 30.12.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49269.9340


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:5, 609–613

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024