Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины

Исследуются термоэлектрические свойства и кинетика кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ с толщинами 11, 14, 21, 31, 56, 74 и 115 мм. Пленки получены магнетронным распылением на холодную подложку и в исходном состоянии имеют аморфную структуру. В процессе термического отжига происходит преобразование аморфной смеси в двухфазный нанокристаллический композит, состоящий из дисилицида хрома и кремния. In situ измерения термоэлектрических свойств пленок в ходе отжига показали, что температура начала кристаллизации уменьшается, а скорость кристаллизации растет с уменьшением толщины пленок. Термоэдс нанокристаллических пленок уменьшается с ростом толщины пленок, а термоэлектрический фактор мощности достигает максимального значения в пленках толщиной 31 нм.