Изменения фотоэлектрических свойств нелегированных пленок аморфного гидрированного кремния под влиянием предварительного освещения при повышенных температурах

Проведено исследование влияния предварительной слабой засветки при повышенных температурах на фотоэлектрические свойства нелегированных пленок $\alpha$-Si : H. Установлено, что темновая проводимость и фотопроводимость пленок растут с увеличением интенсивности предварительной засветки, а параметр $\gamma$, определяющий зависимость фотопроводимости от интенсивности освещения, уменьшается вследствие увеличения доли бимолекулярной рекомбинации электронов на энергетических уровнях хвоста плотности состояний зоны проводимости. Предположено, что это может быть обусловлено наличием неконтролируемой примеси кислорода и увеличением электрически активной концентрации кислорода в результате предварительного освещения пенки при повышенных температурах.