Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ в качестве мемристора.