Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле

Изучается терагерцовая фотопроводимость в магнитном поле в эпитаксиальном графене, выращенном на подложке SiC. Проведены исследования зависимости амплитуды сигнала фотоотклика от величины магнитного поля при разных значениях концентрации электронов, тока смещения, интенсивности терагерцового излучения. Механизм фотопроводимости, основанный на нагреве электронов терагерцовым излучением, хорошо объясняет экспериментальные результаты. С увеличением величины магнитного поля обнаружен сильный рост сигнала фотопроводимости из-за увеличения времени релаксации вследствие подавления электрон-электронного рассеяния.