А. П. Барабан, Е. А. Денисов, В. А. Дмитриев, А. В. Дрозд, В. Е. Дрозд, А. А. Селиванов, Р. П. Сейсян, “Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4,страницы 427

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания

А. П. Барабан^a, Е. А. Денисов^a, В. А. Дмитриев^a, А. В. Дрозд^a, В. Е. Дрозд^a, А. А. Селиванов^a, Р. П. Сейсян^b

^a Санкт-Петербургский государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено сравнение характеристик слоев оксида кремния, полученных различными технологическими способами. Показано, что каталитический способ получения слоев окиси кремния методом молекулярного наслаивания имеет ряд преимуществ. Главными из них являются низкая температура роста, качественная граница раздела с кремниевой подложкой и высокая скорость роста пленок. Исследования методом катодолюминесценции позволили оценить структурное качество слоев оксида кремния, полученных методом молекулярного наслаивания, и подтвердили представления о его возможностях для получения качественных пленок окиси кремния для широкого практического применения.

Ключевые слова: молекулярное наслаивание, низкотемпературный синтез, оксид кремния, каталитический синтез, катодолюминесценция, спектральное распределение.

Поступила в редакцию: 12.11.2019
Исправленный вариант: 18.11.2019
Принята в печать: 18.11.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49153.9312