RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 224–227 (Mi phts5256)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN

Е. Н. Моховa, М. К. Рабчинскийa, С. С. Нагалюкa, М. Р. Гафуровb, О. П. Казароваa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Казанский (Приволжский) федеральный университет

Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной ($T$ = 1880$^\circ$C) диффузии ионов бериллия на свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что постростовое легирование AlN бериллием приводит к компенсации мелких донорных центров кремния, входящих в решетку AlN неконтролируемым образом в ходе роста. Установлено, что введение Be в решетку AlN приводит к снижению оптического поглощения последнего в видимом и ультрафиолетовом диапазонах. Совокупность результатов объясняется сдвигом положения уровня Ферми, вызванным введением акцепторной примеси бериллия, в сторону потолка валентной зоны AlN.

Ключевые слова: AlN, примесь Ве, диффузия, оптические свойства.

Поступила в редакцию: 23.10.2019
Исправленный вариант: 29.10.2019
Принята в печать: 29.10.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49022.9295


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:3, 278–281

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024