RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 228–231 (Mi phts5257)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Отражение от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$

С. А. Немовabc, Ю. В. Улашкевичd, М. В. Погумирскийe, О. С. Степановаb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Забайкальский государственный университет, г. Чита
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e ООО "ФАРЭКСПОРТ", Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые измерены спектры отражения от боковой грани кристалла PbSb$_{2}$Te$_{4}$ при комнатной температуре в поляризованном свете в диапазоне волновых чисел 50 – 4000 см$^{-1}$. Показана значительная анизотропия кристалла в направлениях вдоль и поперек слоев кристалла. Выявленные особенности спектров интерпретированы вкладом плазменных колебаний и колебаний кристаллической решетки. Рассчитанные значения параметров диэлектрической функции в рамках модели Друде–Лоренца согласуются с экспериментальными данными.

Ключевые слова: термоэлектрические материалы, кристалл PbSb$_{2}$Te$_{4}$, спектр отражения, модель Друде–Лоренца.

Поступила в редакцию: 07.11.2019
Исправленный вариант: 12.11.2019
Принята в печать: 12.11.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49023.9308


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:3, 282–284

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024