RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 232–237 (Mi phts5258)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Фотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства тонкопленочной структуры ZnO–LiNbO$_{3}$ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра

Л. В. Григорьевab, И. С. Морозовa, Н. В. Журавлевa, А. А. Семеновb, А. А. Никитинb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Представлены результаты исследования структурных, оптических, фотолюминесцентных и фотоэлектрических свойств тонкопленочной структуры ZnО–LiNbO$_{3}$. Приведены результаты рентгеноструктурного анализа пленки оксида цинка, синтезированной на подложке из монокристаллического ниобата лития и на подложке из кварцевого стекла КУ-1. Приведены спектры пропускания, спектры отражения, спектры поглощения, спектральная зависимость фотолюминесценции и спектральная зависимость фотоэлектрического тока тонкопленочной структуры ZnО–LiNbO$_{3}$ и структуры ZnO–SiO$_{2}$ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра.

Ключевые слова: оксид цинка, лазерная абляция, сегнетоэлектрик, фотолюминесценция, фотопроводимость, регуляризация Тихонова–Лаврентьева.

Поступила в редакцию: 23.10.2019
Исправленный вариант: 31.10.2019
Принята в печать: 31.10.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49024.9294


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:3, 285–290

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024