М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3,страницы 238

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур

М. В. Григорьев^a, Д. А. Казарян^bc, Е. Е. Вдовин^a, Ю. Н. Ханин^a, С. В. Морозов^a, К. С. Новоселов^bd

^a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^b School of Physics and Astronomy, The University of Manchester, Manchester, United Kingdom
^c Department of Physics, National Research University Higher School of Economics, Moscow, Russia
^d Department of Material Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore, Republic of Singapore

Аннотация: Исследовано резонансное туннелирование через уровни дефектов в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур. Обнаружен эффект мультиплицирования туннельных резонансов через эти уровни, обусловленный влиянием высокой дефектности структуры соседнего слоя графена, созданной нами преднамеренно с помощью его обработки в плазме. Обсуждены различные механизмы такого влияния.

Ключевые слова: графен, ван-дер-ваальсовы гетероструктуры, дефекты кристаллической решетки, нитрид бора, туннельный транзистор, резонансное туннелирование.

Поступила в редакцию: 26.08.2019
Исправленный вариант: 06.11.2019
Принята в печать: 07.11.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49025.9249