А. В. Желаннов, А. С. Ионов, Б. И. Селезнев, Д. Г. Федоров, “Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3,страницы 246

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия

А. В. Желаннов^a, А. С. Ионов^a, Б. И. Селезнев^b, Д. Г. Федоров^a

^a АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
^b Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого

Аннотация: Представлены исследования характеристик омических контактов к эпитаксиальным и ионно-легированным слоям нитрида галлия на основе системы металлизации Cr/Pt/Au. Показана возможность формирования низкоомных контактов без использования высокотемпературной обработки. Для гетероструктур на основе AlGaN/GaN показано улучшение характеристик омических контактов Ti/Al/Ni/Au при использовании ионной имплантации через маску двуокиси кремния.

Ключевые слова: гетероструктура, нитрид галлия, омический контакт, система металлизации, ионная имплантация, быстрый термический отжиг, удельное контактное сопротивление.

Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 03.09.2019
Принята в печать: 05.11.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49028.9224