Эта публикация цитируется в
5 статьях
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Формирование аморфных нанокластеров и нанокристаллов германия в пленках GeSi$_{x}$O$_{y}$ на кварцевой подложке с использованием печных и импульсных лазерных отжигов
Zhang Fana,
С. А. Кочубейb,
M. Stoffelc,
H. Rinnertc,
M. Vergnatc,
В. А. Володинab a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Université de Lorraine, Institut Jean Lamour UMR CNRS, France
Аннотация:
Пленки нестехиометрических германосиликатных стекол GeO
$_{0.5}$[SiO
$_{2}$]
$_{0.5}$ и GeO
$_{0.5}$[SiO]
$_{0.5}$ получены соиспарением порошков GeO
$_{2}$ и SiO либо SiO
$_{2}$ и напылением на холодную подложку из плавленого кварца в высоком вакууме. Затем пленки подвергались печным либо импульсным лазерным отжигам (XeCl лазер,
$\lambda$ = 308 нм, длительность импульса 15 нс). Свойства образцов были исследованы с применением методов спектроскопии пропускания и отражения, спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Как показал анализ спектров комбинационного рассеяния света, осажденная при температуре подложки 100
$^\circ$C пленка GeO[SiO] содержала кластеры аморфного германия, а в спектрах комбинационного рассеяния света осажденной при той же температуре пленки GeO[SiO
$_{2}$] сигнала от колебаний связей Ge–Ge не обнаружено. Край оптического поглощения исходной пленки GeO[SiO
$_{2}$] составлял
$\sim$400 нм, а в пленке GeO[SiO] наблюдалось поглощение вплоть до ближнего инфракрасного диапазона, очевидно, вследствие поглощения на германиевых нанокластерах. Отжиги приводили к длинноволновому сдвигу края поглощения. После отжига при 450
$^\circ$C в пленке GeO[SiO
$_{2}$] были обнаружены кластеры аморфного германия, а после отжига при 550
$^\circ$C, а также после импульсного лазерного отжига в ней обнаружены нанокристаллы германия. Для кристаллизации аморфных нанокластеров в пленке GeO[SiO] потребовался отжиг при температуре 680
$^\circ$C. При этом размеры нанокластеров Ge в ней были меньше, чем в пленке GeO[SiO
$_{2}$]. С применением импульсного лазерного отжига не удалось кристаллизовать кластеры германия в пленке GeO[SiO]. Очевидно, чем меньше размер полупроводниковых нанокластеров в диэлектрической матрице, тем труднее их кристаллизовать. В спектрах фотолюминесценции отожженных пленок при низкой температуре обнаружены сигналы, которые обусловлены либо дефектами, либо кластерами германия.
Ключевые слова:
германосиликатные стекла, нанокластеры германия, кристаллизация, импульсный лазерный отжиг. Поступила в редакцию: 11.11.2019
Исправленный вариант: 15.11.2019
Принята в печать: 15.11.2019
DOI:
10.21883/FTP.2020.03.49029.9309