Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения

Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных $p$–$n$-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного $i$-слоя толщиной в несколькo нанометров. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры $p$–$i$–$n$-GaAs/Al$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As туннельных соединительных диодов со значениями пиковой плотности туннельного тока до 200 A/см$^{2}$.