RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 117–122 (Mi phts5272)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана

А. Игитянab, Н. Агамалянab, Р. Овсепянab, С. Петросянab, Г. Бадалянa, И. Гамбарянa, А. Папикянb, Е. Кафадарянab

a Институт физических исследований НАН Армении
b Российско-Армянский университет, г. Ереван

Аннотация: С помощью метода электронно-лучевого напыления получены прозрачные поверхностно-гидрированные пленки оксида лантана (OH–La$_{2}$O$_{3}$) толщиной 40, 140 и 545 нм. Исследованы электрические и оптические характеристики структур Al/OH–La$_{2}$O$_{3}$/$p$-Si, где в качестве верхнего и нижнего электродов использовали соответственно алюминий и кремниевую подложку с $p$-типом проводимости. Обнаружена область отрицательной дифференциальной проводимости на зависимостях проводимости от напряжения при прямом смещении; возможный механизм отрицательной дифференциальной проводимости объясняется переносом протонов по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями на поверхности пленки OH–La$_{2}$O$_{3}$.

Ключевые слова: отрицательная дифференциальная проводимость, OH–La$_{2}$O$_{3}$, протонная проводимость.

Поступила в редакцию: 07.10.2019
Исправленный вариант: 15.10.2019
Принята в печать: 15.10.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48915.9280


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:2, 163–168

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024