Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния

Предложен метод профилирования компонент эффективной подвижности носителей заряда $\mu_{\operatorname{eff}}$, определяемых рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границ раздела тонкая пленка/диэлектрик. Метод основан на управляемой локализации носителей заряда относительно тестируемой гетерограницы за счет взаимосвязи потенциалов на противоположных сторонах пленки (coupling-эффекта). Предложенный метод позволяет независимо выделять компоненты подвижности вблизи разных гетерограниц пленок. Использование его при исследовании подвижности электронов в пленках кремний-на-изоляторе позволило получить информацию о шероховатости границы раздела и структурном совершенстве ультратонкого (1–3 нм) слоя кремния вблизи скрытой границы раздела пленка/диэлектрик.