Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83 K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур

Облучение низкоэнергетическими протонами приводит к изменению электрофизических, оптических и других свойств поверхностной области полупроводниковых структур, что создает дополнительные возможности модификации полупроводниковых приборов. Работа посвящена изучению влияния радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре образцов 83 K, на свойства двусторонних кремниевых фотоэлектрических структур с диффузионным $n^+$–$p$-переходом. Образцы $n^+$–$p$–$p^+$-типа облучались потоком протонов с дозой 10$^{15}$ cм$^{-2}$ и энергией 40 либо 180 кэВ. Для объяснения наблюдаемых закономерностей изменения параметров вольт-амперных характеристик и коэффициентов пропускания рассчитано распределение среднего числа межузельного кремния, вакансий, дивакансий и областей разупорядочения, созданных при этих условиях на единице длины проективного пробега одним протоном в диффузионном слое и области пространственного заряда $n^+$–$p$-перехода. Показано, что протоны с начальной энергией 40 кэВ преимущественно изменяют физические свойства слоя с высокой концентрацией доноров, а протоны с начальной энергией 180 кэВ – свойства области пространственного заряда в слое, содержащем акцепторы. Количество радиационных дефектов в максимуме пространственного распределения в $n$-области много меньше, чем в $p$-области.