RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 153–159 (Mi phts5279)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$

А. В. Ильинскийa, А. Р. Кастроb, М. Э. Пашкевичc, Е. Б. Шадринa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: В интервале 0.1–10$^{6}$ Гц изучена температурная трансформация частотных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta(f)$, а также диаграммы Коула-Коула для нелегированных пленок диоксида ванадия. Измерения проведены в температурном интервале $T$ = 273–373 K. Показано, что вид диаграмм Коула–Коула для всех пленок слабо зависит от температуры в указанном интервале, тогда как частоты $f_{0}$, соответствующие максимумам функции $\operatorname{tg}\delta(f)$, увеличиваются с ростом температуры. Измерены петли температурного гистерезиса частотных положений максимумов $f_0(T)$. При интерпретации данных диэлектрической спектроскопии использована комплексная эквивалентная электрическая схема образца, позволившая выявить в специально не легированных пленках VO$_{2}$ наличие двух типов зерен, различающихся электрическими свойствами. Присутствие двух типов зерен определяет особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$.

Ключевые слова: диоксид ванадия VO$_{2}$, пленки VO$_{2}$, фазовый переход, корреляционные эффекты, диэлектрическая спектроскопия, атомно-силовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 25.09.2019
Исправленный вариант: 30.09.2019
Принята в печать: 30.09.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48910.9267


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:2, 205–211

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024