Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)

С помощью кинетической решеточной модели Монте-Карло проанализирован самокаталитический рост планарных GaAs нанопроволок. Рост нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл рассматривался для подложек GaAs с ориентациями (111)А и (111)В. Исследовалось влияние температуры и расположения капель галлия на морфологию и направление роста планарных GaAs нанопроволок. Выявлен диапазон температур, в котором наблюдался стабильный рост планарных GaAs-нанопроволок на поверхности GaAs(111)А. Выбранное асимметричное расположение капель позволяет получать однонаправленный рост нанопроволок.