RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 165–169 (Mi phts5281)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Энергоэффективные газовые сенсоры на основе нанокристаллического оксида индия

Е. А. Форш, Е. А. Гусева

Московский государственный автомобильно-дорожный институт (технический университет)

Аннотация: Исследовано влияние размера нанокристаллов на чувствительность нанокристаллического оксида индия In$_{2}$O$_{3}$ с чрезвычайно малым размером нанокристаллов (от 7 до 40 нм), синтезированного золь-гель методом, к диоксиду азота в низких концентрациях при комнатной температуре при ультрафиолетовом освещении и без освещения. Обнаружено, что наибольший отклик к диоксиду азота демонстрирует образец с промежуточным размером нанокристаллов. Продемонстрирована возможность использования нанокристаллического In$_{2}$O$_{3}$ при создании сенсора для детектирования NO$_{2}$ в воздухе при комнатной температуре в условиях дополнительной УФ подсветки. Показано, что такой сенсор может работать и в условиях импульсной подсветки, что позволит существенно понизить его энергопотребление.

Ключевые слова: нанокристаллический оксид индия, ультрафиолетовое освещение, проводимость, фотопроводимость, диоксид азота.

Поступила в редакцию: 16.05.2019
Исправленный вариант: 02.10.2019
Принята в печать: 02.10.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48912.9159


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:2, 217–221

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024