Эта публикация цитируется в
4 статьях
Физика полупроводниковых приборов
Модель термополевой нестабильности $p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора
О. В. Александров Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Разработана новая количественная модель термополевой нестабильности
$p$-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора. В основе модели лежит реакция депассивации поверхностных состояний на межфазной границе Si–SiO
$_{2}$ и водородосодержащих дырочных ловушек вблизи межфазной границы Si–SiO
$_{2}$ положительно заряженными ионами водорода H
$^{+}$, накапливающимися в
$p^{+}$-инверсном слое кремниевой подложки. Зависимости поверхностного и объемного зарядов в
$p$-МОП-транзисторах от времени отрицательной термополевой нестабильности определяются кинетикой диффузии и дрейфа ионов H
$^{+}$ из кремниевой подложки к межфазной границе Si–SiO
$_{2}$. Влияние напряжения затвора на отрицательную термополевую нестабильность объясняется посредством влияния напряженности электрического поля на коэффициент сегрегации ионов H
$^{+}$ на межфазной границе Si–SiO
$_{2}$. Релаксация положительного объемного заряда, введенного в подзатворный диэлектрик при отрицательной термополевой нестабильности, описывается туннельной разрядкой оксидных ловушек электронами кремниевой подложки.
Ключевые слова:
МОП-транзистор, термополевая нестабильность, поверхностные состояния, оксидные ловушки, моделирование.
Поступила в редакцию: 21.03.2019
Исправленный вариант: 04.09.2019
Принята в печать: 16.09.2019
DOI:
10.21883/FTP.2020.02.48901.9111