Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур

Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе – примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения.