Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм

Разработана конструкция и технология получения методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений асимметричной ступенчатой гетероструктуры InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP с предельным содержанием InSb (до $y$ = 0.17) в узкозонной активной области. Изучены электролюминесцентные характеристики длинноволновых светодиодов, созданных на основе предложенной гетероструктуры, которые излучали в спектральном диапазоне 4.6 – 5.3 мкм при комнатной температуре. Выявлено уменьшение по линейному закону квантовой эффективности электролюминесценции с ростом содержания InSb в активном слое полученных светодиодов. Показано преимущество использования асимметричной гетероструктуры для создания светодиодов c рабочей длиной волны более 4.5 мкм.