RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 3–12 (Mi phts5291)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)

А. А. Фуксa, А. В. Бакулинab, С. Е. Кульковаab, Н. А. Валишеваc, А. В. Постниковd

a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Лотарингский университет, Мец, Франция

Аннотация: Методом проекционных присоединенных волн изучена энергетика связи кислорода и фтора на поверхности InSb(111) в зависимости от ее окончания. Показано, что на поверхности с индиевым окончанием адсорбция фтора в зависимости от его концентрации приводит к частичному или полному удалению из запрещенной щели поверхностных состояний, индуцированных адсорбцией кислорода. Проникновение обоих адсорбатов в подповерхностные слои приводит к разрушению In–Sb-связей и формированию химических связей фтора и кислорода с приповерхностными атомами подложки, что является начальным этапом образования фторсодержащего анодного оксидного слоя. В случае поверхности InSb(111), оканчивающейся сурьмой, адсорбция кислорода способствует понижению плотности поверхностных состояний в запрещенной щели. Обсуждаются общие тенденции в изменении электронной структуры поверхности (111) при коадсорбции фтора и кислорода в ряду A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ полупроводников.

Ключевые слова: A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, поверхность (111), адсорбция, электронная структура.

Поступила в редакцию: 14.01.2019
Исправленный вариант: 03.04.2019
Принята в печать: 13.05.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48760.9063


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:1, 1–10

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024