RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 22–24 (Mi phts5294)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$

В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния освещения на характер частотной зависимости электрических параметров монокристаллов силиката висмута Bi$_{12}$SiO$_{20}$ (BSO). Излучение видимой области спектра приводит к изменению значений диэлектрических параметров (к фотодиэлектрическому эффекту) и проявлению фотопроводимости в низкочастотном диапазоне измерения. Установлен прыжковый характер проводимости в темновом режиме и при световом возбуждении. Обсуждаются возможные механизмы фотоэлектрического эффекта и переноса заряда в исследуемых кристаллах.

Ключевые слова: силикат висмута, силленит, фотодиэлектрический эффект, фотопроводимость, диэлектрическая проницаемость.

Поступила в редакцию: 18.06.2019
Исправленный вариант: 08.07.2019
Принята в печать: 08.07.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48763.9192


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:1, 19–21

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024