RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 59–64 (Mi phts5307)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Аномальное краевое свечение ZnSe, сильно легированного кислородом

Н. К. Морозоваa, И. Н. Мирошниковаab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия

Аннотация: Изучены особенности спектров излучения чистых CVD конденсатов ZnSe, выращенных при избытке селена и сильном легировании кислородом. Исследовано превалирующее в спектрах низкотемпературной катодолюминесценции ZnSe (O) аномальное краевое свечение 477(490) нм с целью выяснения его природы. Установлена связь этого свечения со стехиометрическим составом ZnSe и концентрацией растворенного кислорода. Получены данные, свидетельствующие о роли примеси меди. На основе теории антипересекающихся зон представлена зонная модель, объясняющая природу основных полос люминесценции ZnSe (O) и ZnSe (O, Cu) в прикраевой области спектра. Показано, что модель ZnSe (O) аналогична усиановленной ранее для ZnS (O) и CdS (O).

Ключевые слова: самоактивированный, стехиометрический, точечные дефекты,изоэлектронные центры, комплексы.

Поступила в редакцию: 11.04.2019
Исправленный вариант: 22.04.2019
Принята в печать: 02.08.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48775.9136


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:1, 102–107

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024