Оптимизация толщины слоя In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в трехкаскадном In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P солнечном элементе

С помощью программного пакета для приборно-технологического моделирования “Sentaurus TCAD” производился поиск оптимальной толщины поглощающего слоя нижнего каскада In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As трехкаскадного In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P солнечного элемента в зависимости от времени жизни неосновных носителей заряда в этом слое. Величина времени жизни задавалась в диапазоне от 17 пс до 53 нс. Результаты расчета показали, что в зависимости от величины времени жизни оптимальная толщина принимает различные значения в диапазоне от 0.9 до 7.5 мкм. Также была проведена оценка вклада в кпд данного трехкаскадного солнечного элемента от нижнего In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As каскада. При различных значениях времен жизни, его величина составила от 1 до 7%.