Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом

Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4$H$-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной $p$-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза.