Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы

Методом селективной газофазной эпитаксии выращены плоские микрорезонаторы GaN гексагональной формы. Проводилось измерение спектров низкотемпературной катодолюминесценции на сканирующем электронном микроскопе. В полученных спектрах видно огромное расщепление Раби ($\sim$100 мэВ). Выполнено численное моделирование распределения интенсивности мод резонатора гексагональной формы. Некоторые моды могут иметь сильную пространственную локализацию, приводящую к сильной связи с экситоном и огромному расщеплению Раби. Теоретически мы рассчитали долю экситонов в поляритонных модах, которая коррелирует с интенсивностью экситонного излучения, связанного с этими модами, для микрорезонаторов гексагональной формы. Таким образом, получен вид зависимости вероятности излучения от собственных частот структуры.