Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки

Описаны способы микропрофилирования эпитаксиальных структур 4$H$-SiC: формирование мезаструктур с наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали $>$ 45$^\circ$) с помощью реактивного ионно-плазменного травления; травление мезаструктур с плоским дном и наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали $<$ 45$^\circ$) методами ионно-лучевого и реактивного ионно-плазменного травления. Показано применение разработанных методов в технологии изготовления меза-эпитаксиальных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе 4$H$-SiC.