Об особенностях примесного энергетического спектра арсенидов

По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов $n$-типа арсенидов GaAs, InAs, CdSnAs$_{2}$, CdGeAs$_{2}$ и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Вывод о природе донорного центра – вакансии в анионной подрешетке – основан на том, что в отличие от мелких примесных центров, которые следят при всестороннем давлении за собственной зоной, с которой они генетически связаны, энергия глубоких примесных центров относительно абсолютного вакуума остается постоянной при изотропном сжатии кристаллической решетки. Поэтому представляется плодотворным исследование эволюции энергетического спектра носителей заряда в полупроводниках в условиях всестороннего давления. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровня энергии глубокого донорного центра с уменьшением ширины запрещенной зоны в глубь зоны проводимости.