Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$

Направленной кристаллизацией расплава выращены монокристаллы MnAgIn$_{7}$S$_{12}$ диаметром 16 и длиной $\sim$40 мм, определены их состав и структура. Показано, что выращенный материал кристаллизуется в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края фундаментального поглощения в интервале температур 10–320 K определена ширина запрещенной зоны $E_{g}$ монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Полученная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры $E_{g}$ возрастает. Проведен расчет, и показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.